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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
68
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
43
读取速度,GB/s
3,554.9
11.4
写入速度,GB/s
1,670.7
9.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2532
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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