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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
3,510.5
13.8
写入速度,GB/s
1,423.3
8.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2415
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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