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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
总分
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
16.2
写入速度,GB/s
8.8
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2394
3091
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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