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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
総合得点
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
相違点
仕様
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
41
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
13.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
8.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
31
読み出し速度、GB/s
13.3
16.2
書き込み速度、GB/秒
8.8
13.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2394
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RAM Latency Calculator
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
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