RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2394
3091
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link