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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
15.5
写入速度,GB/s
1,423.3
12.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3044
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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