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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
73
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3044
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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