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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
73
左右 -306% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
18
读取速度,GB/s
3,510.5
20.8
写入速度,GB/s
1,423.3
16.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3650
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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