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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
35
读取速度,GB/s
3,510.5
14.7
写入速度,GB/s
1,423.3
10.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3099
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
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