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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
73
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
39
读取速度,GB/s
3,510.5
14.5
写入速度,GB/s
1,423.3
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3269
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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