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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
3,510.5
17.4
写入速度,GB/s
1,423.3
14.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3537
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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