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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
78
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
78
读取速度,GB/s
3,510.5
14.2
写入速度,GB/s
1,423.3
11.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2087
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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