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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
14.2
15.2
写入速度,GB/s
10.0
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
2712
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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