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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905712-034.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
74
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
37
读取速度,GB/s
4,178.4
13.8
写入速度,GB/s
2,201.1
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2266
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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