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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
71
左右 -145% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
29
读取速度,GB/s
2,831.6
15.6
写入速度,GB/s
1,322.6
12.9
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3093
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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