RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3093
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link