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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
73
左右 -265% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
20
读取速度,GB/s
3,510.5
19.0
写入速度,GB/s
1,423.3
15.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3549
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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