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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
3,510.5
14.8
写入速度,GB/s
1,423.3
8.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2635
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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