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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
3,510.5
18.0
写入速度,GB/s
1,423.3
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3637
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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