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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
71
左右 -223% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
22
读取速度,GB/s
2,831.6
17.1
写入速度,GB/s
1,322.6
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3234
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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