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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
73
左右 -135% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
31
读取速度,GB/s
3,510.5
15.1
写入速度,GB/s
1,423.3
13.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3095
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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