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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.1
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
3,510.5
19.9
写入速度,GB/s
1,423.3
15.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3785
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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