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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
3,510.5
16.0
写入速度,GB/s
1,423.3
13.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3238
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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