Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

总分
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

总分
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 39
    左右 36% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.1 left arrow 12.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.6 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    25 left arrow 39
  • 读取速度,GB/s
    12.1 left arrow 15.1
  • 写入速度,GB/s
    8.6 left arrow 12.6
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2045 left arrow 3000
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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