Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 39
    Около 36% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.1 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.6 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 10600
    Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.1 left arrow 15.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 12.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2045 left arrow 3000
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения