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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,025.3
19.2
写入速度,GB/s
2,107.0
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3399
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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