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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
16.9
19.2
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3399
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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