RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
3,510.5
18.4
写入速度,GB/s
1,423.3
14.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3420
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
报告一个错误
×
Bug description
Source link