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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
3,510.5
17.7
写入速度,GB/s
1,423.3
14.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3728
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
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