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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
3,510.5
17.6
写入速度,GB/s
1,423.3
18.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3872
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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