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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
73
左右 -329% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
17
读取速度,GB/s
3,510.5
21.2
写入速度,GB/s
1,423.3
17.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3714
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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