RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
73
Wokół strony -329% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3714
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link