RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
73
Wokół strony -329% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3714
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link