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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905663-021.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
73
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
32
读取速度,GB/s
3,510.5
14.2
写入速度,GB/s
1,423.3
7.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2174
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Kingston 9905663-021.A00G 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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