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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
14.0
写入速度,GB/s
7.4
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2345
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
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