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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs UMAX Technology 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
UMAX Technology 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
69
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
UMAX Technology 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
69
读取速度,GB/s
4,833.8
14.5
写入速度,GB/s
2,123.3
8.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
1926
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
UMAX Technology 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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