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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
47
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
32
读取速度,GB/s
11.8
16.1
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2711
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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