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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
3,510.5
18.2
写入速度,GB/s
1,423.3
13.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3473
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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