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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
82
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
82
读取速度,GB/s
3,510.5
13.1
写入速度,GB/s
1,423.3
6.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
1354
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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