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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
73
左右 -55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
47
读取速度,GB/s
3,510.5
11.2
写入速度,GB/s
1,423.3
7.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2227
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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