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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
73
读取速度,GB/s
3,510.5
14.4
写入速度,GB/s
1,423.3
7.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
1842
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
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