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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
73
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
34
读取速度,GB/s
3,510.5
10.4
写入速度,GB/s
1,423.3
7.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2297
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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