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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
14.3
17.3
写入速度,GB/s
10.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3366
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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