RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
比较
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
总分
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,021.5
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR5
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
3,575.4
13.9
写入速度,GB/s
2,021.5
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
563
3480
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB RAM的比较
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link