Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Note globale
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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Note globale
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Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 13.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,021.5 left arrow 12.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 47
    Autour de -96% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 6400
    Autour de 3 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR5
  • Latence dans PassMark, ns
    47 left arrow 24
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,575.4 left arrow 13.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,021.5 left arrow 12.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    563 left arrow 3480
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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