Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB против Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,021.5 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 47
    Около -96% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR5
  • Задержка в PassMark, нс
    47 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,575.4 left arrow 13.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,021.5 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    563 left arrow 3480
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения