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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
51
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
51
读取速度,GB/s
12.3
15.7
写入速度,GB/s
8.0
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2597
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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