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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

总分
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

总分
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 15.7
    测试中的平均数值
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    54 left arrow 73
    左右 -35% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 1,423.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 5300
    左右 4.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    3,510.5 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    1,423.3 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    476 left arrow 2511

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较

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Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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