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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
73
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
39
读取速度,GB/s
3,510.5
13.4
写入速度,GB/s
1,423.3
9.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2529
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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