RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
73
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
39
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2529
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link