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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
69
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
61
读取速度,GB/s
3,325.1
15.0
写入速度,GB/s
1,441.2
8.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2028
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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